氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

溶剂萃取法（化学法）

以湿法冶金为基础，通过P204萃取剂选择性富集铟：

含铟物料经硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0条件下进行三级逆流萃取，铟萃取率可达98%。

该工艺对低品位原料（含铟0.02%）适用性强，但存在试剂消耗大（硫酸用量2-3吨/吨铟）、废水处理成本高的问题。

铟在ITO靶材、半导体、合金等领域的应用表明其在电子和光伏产业中的关键作用，推动了铟回收的必要性。铟，这一关键元素在ITO废料回收中扮演着至关重要的角色。通过回收这些废料，可以显著减少原矿开采成本，高达50%。同时，随着半导体和光伏领域的迅猛发展，对高纯铟的需求也呈现出刚性增长，进一步凸显了铟回收的紧迫性和重要性。

ITO靶材，即铟锡氧化物靶材，主要由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）组成，其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性，成为液晶显示器（LCD）、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定，电导率高，确保了设备的运行。